Preas-Pacáiste IGBT
Preasphaca IGBT (IEGT)
| CINEÁL | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80 ℃ A | ITGQM@CS A / µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0. 075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2.5 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0. 075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1.50 | ≤0.90 | 125 | 0. 027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0. 017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0. 017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2.5 | ≤1.50 | ≤0.33 | 125 | 0. 012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2.5 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0. 017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4.0 | ≤1.90 | ≤0.50 | 125 | 0. 05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3.5 | 1.9 | ≤0.35 | 125 | 0. 03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1.8 | ≤0.85 | 125 | 0. 017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4.0 | ≤2.2 | ≤0.60 | 125 | 0. 012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4.0 | ≤2.1 | ≤0.58 | 125 | 0. 011 |
Nóta:D- le dcuid iaidíd, A-gan chuid dé-óid
Go traidisiúnta, cuireadh na modúil IGBT teagmhála solder i bhfeidhm i bhfearas lasc an chórais tarchurtha DC solúbtha.Is é an pacáiste modúl ná diomailt teasa taobh amháin.Tá cumas cumhachta an fheiste teoranta agus níl sé ceart a bheith ceangailte i sraith, saolré bocht san aer salainn, droch-chreathadh frith-turraing nó tuirse teirmeach.
Ní hamháin go réitíonn an gléas IGBT pacáiste preas-teagmhála ard-chumhachta nua go hiomlán na fadhbanna a bhaineann le folúntais sa phróiseas sádrála, tuirse teirmeach ábhar sádrála agus éifeachtacht íseal diomailt teasa aon-thaobh ach cuireann sé deireadh leis an friotaíocht teirmeach idir comhpháirteanna éagsúla, íoslaghdú an méid agus meáchan.Agus feabhas suntasach a dhéanamh ar éifeachtúlacht oibre agus iontaofacht gléas IGBT.Tá sé oiriúnach go leor chun riachtanais ard-chumhachta, ardvoltais, ard-iontaofachta an chórais tarchurtha DC solúbtha a shásamh.
Tá sé ríthábhachtach cineál teagmhála solder a chur in ionad preasphaca IGBT.
Ó 2010 i leith, rinneadh mionsaothrú ar Runau Electronics chun feiste IGBT de chineál preas-phacáiste nua a fhorbairt agus d’éirigh leis an táirgeadh in 2013. Deimhníodh an fheidhmíocht ag cáilíocht náisiúnta agus críochnaíodh an gnóthachtáil ceannródaíoch.
Anois is féidir linn preasphaca sraith IGBT de raon IC a mhonarú agus a sholáthar i raon 600A go 3000A agus VCES i 1700V go 6500V.Táthar ag súil go mór le hionchas iontach de phreas-phaca IGBT a rinneadh sa tSín le cur i bhfeidhm sa chóras tarchurtha DC solúbtha tSín agus beidh sé ina chloch mhíle den chéad scoth eile de thionscal leictreonaic cumhachta na Síne tar éis traein leictreach ardluais.
Réamhrá gairid ar Mhód Tipiciúil:
1. Mód: Preas-pacáiste IGBT CSG07E1700
●Saintréithe leictreacha tar éis pacáistiú agus brú
● Droim ar aiscomhthreomharceangailtedé-óid a ghnóthú go tapai gcrích
● Paraiméadar:
Luach rátáilte (25 ℃)
a.Voltas Astaithe an Bhailitheora: VGES=1700（V）
b.Voltas Astaithe Geata: VCES=±20（V）
c.Reatha Bhailitheora: IC=800 （A） ICP=1600（A）
d.Diomailt Cumhachta an Bhailitheora: PC=4440 （W）
e.Teocht Acomhal Oibre: Tj=－20~125℃
f.Teocht Stórála: Tstg=－40~125℃
Tabhair faoi deara: déanfar damáiste don fheiste má sháraítear an luach rátáilte
LeictreachCtréithe, TC＝125 ℃, Rth (friotaíocht teirmeach deacomhal lecás）nach bhfuil san áireamh
a.Sceitheadh Geata Reatha: IGES=±5 （μA）
b.Astaír an Bhailitheora ag bacadh ICES Reatha=250 （mA）
c.Voltas Sáithiúcháin Astaír an Bhailitheora: VCE(sat)=6(V)
d.Voltas Tairseach Astaithe Geata: VGE(th)=10(V)
e.Cuir am ar siúl: Ton=2.5μs
f.Am múchta: Toff=3μs
2. Mód: Preas-pacáiste IGBT CSG10F2500
●Saintréithe leictreacha tar éis pacáistiú agus brú
● Droim ar aiscomhthreomharceangailtedé-óid a ghnóthú go tapai gcrích
● Paraiméadar:
Luach rátáilte (25 ℃)
a.Voltas Astaithe an Bhailitheora: VGES=2500（V）
b.Voltas Astaithe Geata: VCES=±20（V）
c.Reatha Bhailitheora: IC=600 （A） ICP=2000（A）
d.Diomailt Cumhachta an Bhailitheora: PC=4800 （W）
e.Teocht Acomhal Oibre: Tj=－40~125℃
f.Teocht Stórála: Tstg=－40~125℃
Tabhair faoi deara: déanfar damáiste don fheiste má sháraítear an luach rátáilte
LeictreachCtréithe, TC＝125 ℃, Rth (friotaíocht teirmeach deacomhal lecás）nach bhfuil san áireamh
a.Sceitheadh Geata Reatha: IGES= ± 15 （ μA）
b.Astaír an Bhailitheora ag bacadh ICES Reatha=25 (mA)
c.Voltas Sáithiúcháin Astaír an Bhailitheora: VCE(sat)=3.2 (V)
d.Voltas Tairseach Astaithe Geata: VGE(th)=6.3(V)
e.Cuir am ar siúl: Ton=3.2μs
f.Am múchta: Toff=9.8μs
g.Voltas ar aghaidh dé-óid: VF=3.2 V
h.Am Aisghabhála Dé-óid: Trr=1.0 μs
3. Mód: Preas-pacáiste IGBT CSG10F4500
●Saintréithe leictreacha tar éis pacáistiú agus brú
● Droim ar aiscomhthreomharceangailtedé-óid a ghnóthú go tapai gcrích
● Paraiméadar:
Luach rátáilte (25 ℃)
a.Voltas Astaithe an Bhailitheora: VGES=4500（V）
b.Voltas Astaithe Geata: VCES=±20（V）
c.Reatha Bhailitheora: IC=600 （A） ICP=2000（A）
d.Diomailt Cumhachta an Bhailitheora: PC=7700 （W）
e.Teocht Acomhal Oibre: Tj=－40~125℃
f.Teocht Stórála: Tstg=－40~125℃
Tabhair faoi deara: déanfar damáiste don fheiste má sháraítear an luach rátáilte
LeictreachCtréithe, TC＝125 ℃, Rth (friotaíocht teirmeach deacomhal lecás）nach bhfuil san áireamh
a.Sceitheadh Geata Reatha: IGES= ± 15 （ μA）
b.Astaír an Bhailitheora ag bacadh ICES Reatha=50 （mA）
c.Voltas Sáithiúcháin Astaír an Bhailitheora: VCE(sat)=3.9 (V)
d.Voltas Tairseach Astaithe Geata: VGE(th)=5.2 (V)
e.Cuir ar siúl: Ton=5.5μs
f.Am múchta: Toff=5.5μs
g.Voltas ar aghaidh dé-óid: VF=3.8 V
h.Am Aisghabhála Dé-óid: Trr=2.0 μs
Nóta:Tá buntáiste ag preas-phacáiste IGBT maidir le hiontaofacht mheicniúil ard fadtéarmach, friotaíocht ard le damáiste agus tréithe struchtúr nasc an phreasa, is áisiúil é a úsáid i bhfeiste sraithe, agus i gcomparáid leis an thyristor GTO traidisiúnta, is modh tiomáint voltais é IGBT. .Dá bhrí sin, tá sé éasca a oibriú, sábháilte agus raon oibriúcháin leathan.